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      可控硅動態(tài)無功功率補償器是近年來研制開發(fā)的新型動態(tài)無功補償器，采用可控硅投切電容器組，克服了原有的靜態(tài)補償器的一些技術(shù)缺陷。故對于可控硅動態(tài)補償器的技術(shù)優(yōu)勢作以下說明：

      1、可控硅無功功率補償器采用大功率無觸點開關(guān)作為電容器組的投切開關(guān)。
      2、可控硅觸發(fā)采用光電觸發(fā)技術(shù)。可控硅觸發(fā)采用光控技術(shù)、實現(xiàn)一次系統(tǒng)和二次系統(tǒng)隔離，解決了諧波干擾問題，保證準(zhǔn)確、可靠的觸發(fā)可控硅。
      3、響應(yīng)時間小于20ms。可快速投入電容器，從采集補償信號到可控硅觸發(fā)導(dǎo)通一個周期內(nèi)完成，即20ms響應(yīng)，這就適應(yīng)了快速變化負(fù)荷的動態(tài)跟蹤補償。
      4、電容器投入實現(xiàn)過零投切。
      5、電抗器的設(shè)計。諧波的出現(xiàn)導(dǎo)致純補償時代的結(jié)束，要杜絕純補償所引起的諧波放大和惡劣作用，就是配備適當(dāng)電抗率的電抗器。
      6、合理的電容器匹配。可控硅動態(tài)無功功率補償器所采用的電容器是經(jīng)特殊設(shè)計的單相電容器，電容器參數(shù)的選擇經(jīng)過精確的計算，要求較高，完全可以保證質(zhì)量和使用壽命，有效避免電容器爆炸，造成總閘跳閘等事故。
      7、對三相不平衡負(fù)荷補償?shù)莫毩⒖刂萍夹g(shù)。
      8、抑制諧波，保護(hù)設(shè)備安全運行。
      9、完善的保護(hù)措施。過壓、欠壓、短路、速斷、防雷擊及操作過電壓等保護(hù)，保護(hù)措施齊全。
      10、提高功率因數(shù)后的經(jīng)濟(jì)效益?？煽毓鑴討B(tài)無功功率補償器可快速跟蹤負(fù)荷無功功率自動投切，大大減少功率損耗。

      STT標(biāo)準(zhǔn)型晶閘管投切模塊技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護(hù)電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時間小于15ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。